金屬銦主要用於生產液晶顯示器和平板屏幕。從LCD廢料(主要成分是含銦、錫的氧化物)中回收銦的工藝流程如下:(1...

問題詳情：

金屬銦主要用於生產液晶顯示器和平板屏幕。從LCD廢料(主要成分是含銦、錫的氧化物)中回收銦的工藝流程如下:

(1)步驟①中用鹽**浸時浸出率隨温度變化關係如圖所示,則最適宜的温度是___________,温度升高浸出率下降的原因是__________

(2)*浸時銦的氧化物轉化成In3+的離子方程式是__________

(3)提純粗銦的方法和銅的精煉原理相似,則粗銦為__________(填“*極”或“陽極”),寫出*極的電極反應式: ______________________________

(4)步驟④中所發生氧化還原反應的氧化劑是__________(填化學式),步驟⑤中所發生氧化還原反應的氧化產物與還原產物係數之比是__________

【回答】

【*】    (1). 50℃或50~70℃    (2). 温度升高,鹽*揮發    (3). In2O3+6H+==2In3++3H2O    (4). 陽極    (5). In3++3e-===In    (6). H2O    (7). 1:1

【解析】

【分析】

由流程圖可知，向廢料中加鹽*，銦、錫的氧化物溶解生成In3+、Sn2+，加入過量的In，濾渣a中含為銦、錫的混合物，步驟④中加入過量的*氧化*溶液，可以將錫單質轉化為易溶於水的SnO22-，濾渣b中含為銦、鋅的混合物，步驟⑤中加入過量的*氧化*溶液，可以將鋅單質轉化為易溶於水的ZnO22-，據此分析。

【詳解】（1）根據物質的浸出率與温度的關係可知：温度在50℃～70℃時，浸出率最高，所以“*浸”的適宜温度為50℃～70℃；因為温度升高，鹽*揮發，所以隨着温度的升高，浸出率降低，故*為：50℃或50～70℃；温度升高，鹽*揮發。

（2）向廢料中加鹽*，銦、錫的氧化物溶解生成In3+、Sn2+，則銦的氧化物中In為+3價，其氧化物的化學式為In2O3，氧化物轉化為In3+，離子方程式為：In2O3+6H+=2In3++3H2O，故*為：In2O3+6H+=2In3++3H2O。

（3）電解粗銦時，粗銦為陽極，*極In3+發生還原反應的電極方程式為In3++3e-=In，故*為：陽極，In3++3e-=In。

（4）Sn為兩*金屬，因此與鋁相似，類比鋁與*氧化*反應：2Al+2H2O+2NaOH=2NaAlO2+3H2↑，則錫也生成類似的Na2SnO2，所以反應方程式為：Sn+2NaOH═Na2SnO2+H2↑或Sn+2NaOH+2H2O═Na2Sn(OH)4+H2↑，H2O中*元素的化合價由＋1價降到0價，故氧化劑為H2O；Zn為兩*金屬，因此與鋁相似，反應方程式為：Zn+2NaOH═Na2ZnO2+H2↑或Sn+2NaOH+2H2O═Na2Zn(OH)4+H2↑，反應中Na2ZnO2為還原產物，H2為氧化產物，係數之比是1:1，故*為：H2O，1:1。

知識點：電離平衡 水解平衡

題型：實驗,探究題