短週期元素X、Y、z、W的原子序數依次增大，x原子最外層電子數是其內層電子總數的3倍，Y原子最外層只有2個，Z...

問題詳情：

短週期元素X、Y、z、W的原子序數依次增大，x原子最外層電子數是其內層電子總數的3倍，Y原子最外層只有2個，Z的氧化物可做光纖電纜材料，W與X屬於同一主族．下列敍述正確的是（　　）

A．元素W的*化物的熱穩定*比X弱，因為X的*化物分子間存在*鍵

B．四種元素形成的最高價氧化物對應水化物的**最強的是W

C．化合物YX、ZX2、WX3中化學鍵類型相同

D．原子半徑的大小順序：r（Y）＞r（Z）＞r（X）＞r（W）

【回答】

【考點】原子結構與元素週期律的關係．

【專題】元素週期律與元素週期表專題．

【分析】短週期元素X、Y、Z、W的原子序數依次增大，X原子的最外層電子數是其內層電子總數的3倍，X有2個電子層，最外層電子數為6，故X為O元素，W與X屬於同一主族，故W為S元素，Y原子的最外層只有2個電子，原子序數大於O元素，故Y處於第三週期，故Y為Mg元素，Z的氧化物可做光纖電纜材料，Z為Si元素，以此解答該題．

【解答】解：短週期元素X、Y、Z、W的原子序數依次增大，X原子的最外層電子數是其內層電子總數的3倍，X有2個電子層，最外層電子數為6，故X為O元素，W與X屬於同一主族，故W為S元素，Y原子的最外層只有2個電子，原子序數大於O元素，故Y處於第三週期，故Y為Mg元素，Z的氧化物可做光纖電纜材料，Z為Si元素，

A．同主族自上而下非金屬*減弱，故非金屬*O＞S，非金屬*越強，*化物越穩定，故穩定*H2O＞H2S，與*鍵無關，故A錯誤；

B．四種元素形成的最高價氧化物對應水化物呈**的為硫*和硅*，硫***較強，故B正確；

C．YX是MgO，屬於離子化合物，只含離子鍵，ZX2和WX3和是二氧化硅和三氧化硫，二氧化硅和三氧化硫都只含共價鍵，故C錯誤；

D．同主族自上而下原子半徑增大，故原子半徑O＜S，同週期自左而右原子半徑減小，故原子半徑Mg＞Si＞S，故原子半徑Mg＞Si＞S＞O，即rY＞rZ＞rW＞rX，故D錯誤．

故選B．

【點評】本題考查結構*質與位置關係、元素週期律等，難度不大，推斷元素是解題的關鍵，根據元素週期律來分析解答即可．

知識點：物質結構 元素週期律單元測試

題型：選擇題