CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S...

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問題詳情:

CdSnAs2是一種高遷移率CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S...新型熱電材料,回答下列問題:

(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成SnCl4。常温常壓下SnCl4為無*液體,SnCl4空間構型為_____________,其固體的晶體類型為_____________。

(2)NH3、PH3、AsH3的沸點由高到低的順序為_____________(填化學式,下同),還原*由強到弱的順序為____________,鍵角由大到小的順序為_____________。

(3)含有多個配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過螯合配位成環而形成的配合物為螯合物。一種Cd2+配合物的結構如圖所示,1mol該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有_________mol,該螯合物中N的雜化方式有__________種。

CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第2張

(4)以晶胞參數為單位長度建立的座標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子的分數座標。四方晶系CdSnAs2的晶胞結構如圖所示,晶胞稜邊夾角均為90°,晶胞中部分原子的分數座標如下表所示。

座標

原子

x

y

z

Cd

0

0

0

Sn

0

0

0.5

As

0.25

0.25

0.125

CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第3張

一個晶胞中有_________個Sn,找出距離Cd(0,0,0)最近的Sn_________(用分數座標表示)。CdSnAs2

晶體中與單個Sn鍵合的As有___________個。

【回答】

    (1). 正四面體形;    (2). 分子晶體    (3). NH3、AsH3、PH3    (4). AsH3、PH3、NH3    (5). NH3、PH3、AsH3    (6). 6    (7). 1    (8). 4    (9). (0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)    (10). 4

【解析】

【分析】

(1)利用價層電子對數確定SnCl4的分子構型;由於常温下SnCl4為液體,故SnCl4為分子晶體;

(2)結構相似CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第4張分子,相對分子質量越大物質的熔沸點越高,另外分子間能形成*鍵的物質,熔沸點則較高,鍵角的大小取決於中心原子的雜化類型、孤電子對數、成鍵電子對與成鍵電子對之間的斥力大小;

(3)由該物質的結構簡式可知,螯合作用配位成環,故1個該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有6個,Cd—NO2那個不算;該螯合物中N原子的雜化方式為sp2雜化;

(4)結合部分原子的分數座標,結合晶胞結構圖,確定各原子在晶胞中位置,找出相應原子。

【詳解】(1)Sn為第ⅣA族元素,由於常温下SnCl4為液體,故SnCl4為分子晶體;SnCl4分子中中心原子的孤電子對數=CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第5張=0,CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第6張鍵電子對數為4,價層電子對數為4,故SnCl4分子的空間構型為正四面體形;

(2)NH3、PH3、AsH3的結構相似,結構相似的物質,相對分子質量越大,範德華力越強,物質的沸點越高,但是NH3分子間能形成*鍵,故這三種物質的沸點NH3>AsH3>PH3;N、P、As這三種元素位於元素週期表中第ⅤA族,原子序數依次增大,同一主族從上到下,隨着核電荷數的增加,原子半徑逐漸增大,非金屬*逐漸減弱,*化物的還原*逐漸增強,故這三種物質的還原*由強到弱的順序為AsH3>PH3>NH3;NH3、PH3、AsH3中中心原子都是sp3雜化,都有1對孤電子對,中心原子的電負*越小,成鍵電子對之間的斥力越小,成鍵電子對之間的斥力越小,鍵角越小,所以這三種物質 鍵角由大到小的順序為NH3>PH3>AsH3;

(3)由該物質的結構簡式和分析,根據題意“含有多個配位原子的配體與同一中心離子或原子通過螯合配位成環而形成的配合物為螯合物”,故該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有6mol,Cd—NO2那個不算;該螯合物中N原子的雜化方式都是sp2雜化,故該物質中N的雜化方式有1種;

(4)由部分Cd原子的分數座標為(0,0,0),可知8個Cd在晶胞的頂點,4個Cd在晶胞的面心,1個在晶胞的體心;部分Sn原子的分數座標為(0,0,0.5),4個Sn在晶胞的稜上,6個Sn在晶胞的面心;部分As原子的分數座標為(0.25,0.25,0.125),8個As在晶胞的體心;所以1個晶胞中Sn的個數為CdSnAs2是一種高遷移率新型熱電材料,回答下列問題:(1)Sn為ⅣA族元素,單質Sn與乾燥Cl2反應生成S... 第7張 ;距離Cd(0,0,0)最近的Sn是(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0);由晶胞結構圖可知,CdSnAs2晶體中與單個Sn結合的As有4個。

【點睛】本題考查軌道雜化類型的判斷,分子構型,物質熔沸點大小比較,鍵角大小的比較,配位數的計算,晶胞的計算等知識,立足課本進行適當拓展,但整體難度不大。難點仍然是晶胞的有關判斷與計算,晶胞中原子的數目往往採用均攤法:①位於晶胞頂點的原子為8個晶胞共用,對一個晶胞的貢獻為1/8;②位於晶胞面心的原子為2個晶胞共用,對一個晶胞的貢獻為1/2;③位於晶胞稜心的原子為4個晶胞共用,對一個晶胞的貢獻為1/4;④位於晶胞體心的原子為1個晶胞共用,對一個晶胞的貢獻為1。

知識點:高考試題

題型:填空題

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