用晶圓片造句子，“晶圓片”造句

凹槽-晶圓片邊緣上用於晶向定位的小凹槽。

綁定面-兩個晶圓片結合的接觸區。

耗盡層-晶圓片上的電場區域，此區域排除載流子。

表面紋理-晶圓片實際面與參考面的差異情況。

四探針法用在非常薄的樣品，例如外延晶圓片和導電塗層上。

回顧當前IC製造中使用的清洗技術是如何減少、消除或避免晶圓片表面沾污的發展歷史。

因此，在半導體行業中，必須快速、準確地對硅晶圓片導電類型、方塊電阻和電阻率進行判斷、測量和分檔。

加工測試晶圓片-用於區域清潔過程中的晶圓片。

氧化埋層-在兩個晶圓片間的絕緣層。

裂紋-長度大於0。米的晶圓片表面微痕。

蝕刻-通過化學反應或物理方法去除晶圓片的多餘物質。

芯片農夫不得不花數十億美元並等待數年直到能開始在晶圓片上雕刻電路

機械測試晶圓片-用於測試的晶圓片。

霧度-晶圓片表面大量的缺陷，常常表現為晶圓片表面呈霧狀。

總計指示劑數-晶圓片表面位面間的最短距離。

微坑-在擴散照明下可見的，晶圓片表面可區分的缺陷。

擦傷-晶圓片表面的痕跡。

層-晶圓片表面結構的主要方向。

局部光散*-晶圓片表面特徵，例如小坑或擦傷導致光線散*，也稱為光點缺陷。

波紋-晶圓片表面經常出現的缺陷。

需要注意的是，上面所説的200mm規格產線計劃6月15日恢復量產，此日期指的是工廠可以開始接受200mm晶圓片開始加工的日期，而從晶圓片上製出芯片並對其進行封裝，製成可以直接銷售給客户的成品，則可能需要再等上2.5-3個月。

沾污區域-部分晶圓片區域被顆粒沾污，造成不利特*影響。

綁定晶圓片-兩個晶圓片通過二氧化硅層結合到一起，作為絕緣層。

必需-訂購晶圓片時客户必須達到的最小規格。