鍺是重要的半導體材料之一。碳、硅、鍺位於同主族。（1）基態鍺原子的價層電子排布式為

問題詳情：

鍺是重要的半導體材料之一。碳、硅、鍺位於同主族。

（1）基態鍺原子的價層電子排布式為__________________。

（2）幾種晶體的熔點和硬度如表所示。

①碳化硅的晶體類型是__________________。

②二氧化硅的熔點很高，而幹*(固體二氧化碳)易昇華，其主要原因是__________________。

③硅的熔點高於鍺的，其主要原因是___________________________。

（3）的立體構型是________________；GeCl4分子中鍺的雜化類型是__________________。

（4）1個CS2分子中含_________個π鍵。

（5）鍺的氧化物晶胞如圖所示。已知：該氧化物的摩爾質量為M g·mol−1，NA代表阿伏加德羅常數的值，晶胞密度為 ρ g·cm−3。該晶胞的化學式為_________。氧原子的配位數為_________。該晶胞參數為_________cm(用代數式表示)。

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【回答】

【*】    (1). 4s24p2    (2). 原子晶體    (3). 二氧化硅是原子晶體，幹*是分子晶體    (4). 硅和鍺都是原子晶體，硅的原子半徑小於鍺的，Si—Si鍵的鍵能大於Ge—Ge鍵的鍵能    (5). 平面三角形    (6). sp3    (7). 2    (8). GeO    (9). 4    (10).

【解析】

（1）鍺的原子序數為32，價層電子排布式為4s24p2。

（2）①根據碳化硅熔點和硬度知，碳化硅是原子晶體。②二氧化硅是原子晶體，而幹*是分子晶體，二氧化硅中存在較強的共價鍵，幹*中分子間作用力較弱。③硅和鍺都是原子晶體，但是硅的原子半徑小於鍺的，故Si—Si鍵的鍵能大於Ge—Ge鍵的鍵能。

（3）中碳原子的價層有3對電子，孤電子對數為0，立體構型為平面三角形；GeCl4中鍺的價層有4對電子，孤電子對數為0，鍺的雜化類型為sp3。

（4）CS2的結構式為S=C=S，則1個CS2分子中含有2個π鍵。

（5）觀察題給晶胞，8個Ge位於立方體頂點、6個Ge位於面心；4個O位於立方體內部。1個晶胞含4個Ge和4個O，化學式為GeO。觀察圖示知，1個O與4個Ge成鍵，氧原子的配位數為4。設晶胞參數為a cm，由ρ=，得：a=。

知識點：物質結構 元素週期律單元測試

題型：填空題