砷化鎵是繼硅之後研究最深入、應用最廣泛的半導體材料。回答下列問題：(1)As基態原子核外有

問題詳情：

砷化鎵是繼硅之後研究最深入、應用最廣泛的半導體材料。回答下列問題：

(1)As基態原子核外有________個未成對電子。

(2)Ga、As、Se的第一電離能由大到小的順序是________。

(3)比較下列鎵的鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規律及原因：____________________________________________________________________________________________。

(4)二水合草*鎵的結構如圖1所示，其中鎵原子的配位數為________，草*根離子中碳原子的雜化軌道類型為________。

(5)砷化鎵的立方晶胞結構如圖2（其中灰球應為Ga）所示，晶胞參數為a＝0.565 nm，砷化鎵晶體的密度為___________________________ g·cm－3(設NA為阿伏加德羅常數的值，列出計算式即可)。

【回答】

（12分）(1)3 (2)As>Se>Ga 

(3)GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點依次升高，原因是它們均為分子晶體，相對分子質量依次增大

(4)4 sp2 (5)()

知識點：物質結構 元素週期律單元測試

題型：綜合題