在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經電壓為U的電場加速後，垂直進入磁感應強度大小為B、方...
來源：國語幫 3.17W
問題詳情：
在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經電壓為U的電場加速後，垂直進入磁感應強度大小為B、方向垂直紙面向裏，有一定的寬度的勻強磁場區域，如圖所示．已知離子P+在磁場中轉過θ=30°後從磁場右邊界*出．在電場和磁場中運動時，離子P+和P3+（ ）
A．在電場中的加速度之比為1：1
B．在磁場中運動的半徑之比為
：1
C．在磁場中轉過的角度之比為1：2
D．離開電場區域時的動能之比為1：3
【回答】
BCD
知識點：磁場對運動電荷的作用力
題型：多項選擇
