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實驗室用H2還原SiHCl3(沸點:31.85℃)製備純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去),下列説...
問題詳情:實驗室用H2還原SiHCl3(沸點:31.85℃)製備純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去),下列説法正確的是(   )A.裝置Ⅱ、Ⅲ中依次盛裝的是濃H2SO4、*水B.實驗時,應先加熱管式爐,再打開盛裝稀硫*的分液漏斗...
製備硅半導體材料必須先得到高純硅。三**硅*(SiHCl3)還原法是當前製備高純硅的主要方法,生產過程示意圖如...
問題詳情:製備硅半導體材料必須先得到高純硅。三**硅*(SiHCl3)還原法是當前製備高純硅的主要方法,生產過程示意圖如下:(1)寫出由石英砂製取粗硅的化學方程式                              ...
三**硅(SiHCl3)是製備硅*、多晶硅的重要原料。回答下列問題:(1)SiHCl3在常温常壓下為易揮發的無...
問題詳情:三**硅(SiHCl3)是製備硅*、多晶硅的重要原料。回答下列問題:(1)SiHCl3在常温常壓下為易揮發的無*透明液體,遇潮氣時發煙生成(HSiO)2O等,寫出該反應的化學方程式_______________________________________________...
製造太陽能電池需要高純度的硅,工業上制高純硅常用以下反應實現①Si(固)+3HCl(氣)SiHCl3(氣)+H...
問題詳情:製造太陽能電池需要高純度的硅,工業上制高純硅常用以下反應實現①Si(固)+3HCl(氣)SiHCl3(氣)+H2(氣) ②SiHCl3+H2Si+3HCl對上述兩個反應的敍述中,錯誤的是()A.兩個反應都是置換反應B.據反應條件無法判斷反應是否吸熱C.兩個...
工業上可用粗硅(含鐵、鋁、硼、*等雜質)與乾燥的HCl氣體反應制得SiHCl3,:Si+3HCl=SiHCl3...
問題詳情:工業上可用粗硅(含鐵、鋁、硼、*等雜質)與乾燥的HCl氣體反應制得SiHCl3,:Si+3HCl=SiHCl3+H2,SiHCl3與過量的H2在1000℃~1100℃反應制得純硅。有關物質的物理常數見下表:物質SiCl4BCl3AlCl3FeCl3SiHCl3PCl5沸點/℃5...
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