用多孔硅造句子，“多孔硅”造句

實驗發現，隨着電流密度的增大，時間的延長和電解液濃度的降低，多孔硅發光峯位會有藍移。

我們認為很可能是多孔硅內表面的氧化作用使光致發光峯位藍移，由氧化作用產生的非輻*複合中心導致光致發光效率的下降。

對多孔硅進行氧化、硅*化、戊二醛交聯劑和抗體共價結合處理，製備出生物免疫傳感器。

而目前儘管對多孔硅體系的發光機理提出了一些理論模型，但都是各執己見，並未達成共識。

研究結果表明：納米量級尺寸是多孔硅膜的一個重要特徵。估計多孔硅硅柱橫截面直徑在幾到十幾納米之間。

在可見光譜內，多孔硅的發光現象及其廣闊的應用前景激發了人們對這種潛在光電子學材料的巨大研究興趣。

報道多孔硅的表面鈍化對其光致發光和電致發光的影響。

該材料內嵌入小多孔硅球體，有雙重作用。

隨着腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峯位也發生藍移。