用隧穿造句子，“隧穿”造句

而宏觀量子隧穿現象同時又是一個亞穩態的衰減過程.

利用針尖修飾及納米組裝技術，採用三種不同的新方法構造出串聯雙隧穿結結構。

在I-V特*曲線上具有雙微分負阻的三穩態共振隧穿器件，室温下可以達到較高的電流峯谷比5。

基於相位時間和隧穿時間的定義計算了電子穿過方形勢壘的相互作用時間，在此基礎上設計一個實驗嘗試研究電子隧穿方形勢壘的相互作用時間。

摘要研究了電子隧穿通過量子點的相干輸運特*。

最後，我們的模擬發現，普通SOI結構SBSD-MOSFET能有效阻擋來自源結的熱電子發*泄漏電流，但仍不能阻擋來自漏結的隧穿泄漏電流。

而從信息存儲的觀點，量子隧穿則引起信息遺失。

系統處於這兩個宏觀量子態的相干疊加態，它們之間由於相干隧穿導致能級的劈裂。

由晶格內束縛態離子引起的共振隧穿現象將完全不同於低能下束一靶相互作用引發的核反應現象。

研究了中間絕緣層厚度、界面狀況及反鐵磁層釘扎對隧穿磁電阻的影響。

用雙勢壘模型研究了半導體異質結量子阱的隧穿特*。

在贋能隙相位期間，銅氧化物半導體中電子發生了改變，那裏的電子隧穿能力在不同的氧原子中有所區別。

運用數值的方法研究了分子磁體的隧穿效應中量子經典渡越問題。