用隧穿電流造句子，“隧穿電流”造句

外界條件可引起超晶格中內建電場的變化，進而引起隧穿電流的變化。

同時還探求了垂直磁場對共振隧穿電流峯抑制作用的物理機制。

理論研究了非對稱雙勢壘結構中光學聲子發*率和光學聲子輔助隧穿電流。

用數值分析的方法討論了中*陷阱對超薄場效應晶體管（MOSFET）隧穿電流的影響。