用態密度造句子，“態密度”造句

本文討論非晶材料中局域聲子存在條件及其態密度估計。

同時對鈦*鋇系ptcr半導瓷界面態的組成進行了研究，並提出一種直接測量界面態密度的方法。

利用傳輸矩陣和散*態方法計算了厚度梯變超晶格與大尺寸微腔超晶格的透*譜、態密度以及光場分佈。

你們可以看到兩個軌道，靠在一起相長疊加，這就是為什麼中間的電子態密度增加了。

從計算出的態密度還發現，正六邊形原子面和鋸齒形原子鏈中的電子受到不同程度的“od”量子限制。

態密度越高越好。

溝道摻雜濃度提高，同樣的界面態密度造成的漏極特*漂移增大。

觀察到輕、重空穴對應的激子吸收峯（LH和HH）及台階狀態密度。

我們計算了聲子態密度曲線，並與均勻合金的情況及不考慮力常數無序的情況作了比較。

然後逐點計算局域態密度發現，在實空間準束縛態是一個非常局域化的效應，離開缺陷即迅速衰減。

兩側*狀腺形態密度如常

本文討論非晶材料中局域聲子存在條件及其態密度估計.

我們使用了動態密度泛函理論對三雜臂星型共聚物以及線*均聚物的共混體系進行了研究。

在此基礎上，用凍結勢方法計算了該超晶格系統的價帶帶階；用四面體方法計算了該系統的聯合態密度。

從理論上給出了微觀系統在有限温度下態密度用松原函數表示的表達式。

體系的態密度投影到半導體碳納米管上，納米管的能隙消失，電子在金屬和碳納米管之間轉移的過程中不存在靜電勢壘。

根據這種方法，我們研究了*等離子體處理對多晶硅薄膜晶體管禁帶態密度的影響。

本文基於局域密度泛函理論（LDF）和LMTO-ASA方法，計算了穩定的六角結構碳化鎢和碳化鉬的自洽能帶結構，總態密度和分波態密度。

在嚴格考慮泡利不相容原理的前提下，我們導出了任意單粒子哈密頓量的多粒子、多空穴能態密度的精確的、一般的公式。

從聲子態密度的一般計算方法出發計算了準二維和準一維碳納米管的聲子態密度。