用電介質擊穿造句子，“電介質擊穿”造句

通過固體電介質擊穿理論的分析，提出由局部*缺陷發展逐漸導致介質擊穿需要較長的發展時間。

因此擊穿電壓的檢測必須重視電介質擊穿現象的電參數值的測量。

提出了芯片門電路硅氧化層靜電放電介質擊穿的物理模型。