用閾值電壓造句子，“閾值電壓”造句

通過公式計算得出的電路閾值電壓與模擬結果一致。

也研究了在此氣壓範圍內火花室閾值電壓與氣壓和間隙寬度的關係。

研究外電場作用下向列液晶盒的閾值電壓隨錨定強度、**係數等各種參數的變化關係。

輻照中器件採用不同電壓偏置，並在輻照前後對器件的源漏極間泄漏電流、閾值電壓漂移及跨導特*進行測量。

本文設計了一套適合多種工藝的閾值電壓均勻*研究測試版圖，包括多種材料參數和工藝參數測試圖形。

這個峯值電壓設置為閾值電壓，用來計算儀器的電壓響應曲線。

相應地，該晶體管的閾值電壓及柵源極電壓也可降低。

推導了了一個短溝道MOST閾值電壓温度係數表達式；

本文介紹了VVMOSFET和NMOSFET單片集成時閾值電壓容差的理論估算和工藝試驗結果，二者符合得較好。

一示範*實施例包括：當在編程*作期間對一串中的將被編程的最末字線進行編程時，使用用於選擇物理狀態的較低閾值電壓檢驗電平。

提出了一種DMOS輻照正空間電荷閾值電壓模型。

提出了一種不同閾值電壓反相器控制的傳輸門組合結構。

提出了一種能夠自產生基準電壓和偏置電流，並且鎖定閾值電壓和遲滯量穩定的新型欠壓鎖定電路。

往一種極*和非極*液晶混合物中添加3%的這些化合物，可以大大降低液晶混合物的閾值電壓，而只引起粘度的小量增加。

也研究了在此氣壓範圍內火花室閾值電壓與氣壓和間隙寬度的關係

圖8描繪多狀態裝置中關於從經擦除狀態到經編程狀態的雙通過編程的閾值電壓分佈的示範**。

本文首先建立了一個SOIMOSFET器件的直流漏電流模型和閾值電壓模型，模型考慮了速度飽和效應。

如此形成的晶體管的閾值電壓由保持在浮動柵極上的電荷量控制。

本論文着重論述未來cmos進入納米尺寸的關鍵挑戰，如：電源電壓和閾值電壓減小、短溝效應、量子效應、雜質數起伏以及互連線延遲等影響。

一百另外，柵極電壓約為閾值電壓，它依賴於集成電路裝置設計。