用半導體器件造句子，“半導體器件”造句

生產功率半導體器件和鋁電解電容器的製造廠

半導體器件。分立器件和集成電路。第8部分：場效應晶體管。

GB/T6571-1995半導體器件分立器件第3部分:信號(包括開關)和調整二極管

建立金屬-絕緣體-半導體器件反型層子能帶結構的勢理論模型，並由此模型研究了金屬-絕緣體-半導體器件紅外探測器的工作機理及製作的關鍵。

在半導體器件製造的外延工藝中，外延生長時通常要摻入雜質

本發明涉及一總用於安裝在印刷電路板上的半導體器件(1)。

母排的分佈電感是影響高壓大容量變換器中半導體器件可靠運行的重要因素。

自旋電子學在創建更高速、更節能的電路元件方面比標準半導體器件擁有更大的潛力。

GB/T6590-1998半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規範

該文介紹電力電子技術研究的問題、功率半導體器件、主要應用和新應用。

簡要闡述了半導體器件模擬軟件在新器件開發中的應用www，對*能模擬擴展與工藝模擬集成的優勢作了簡述

Xerox公司的這種印刷電路技術需要在基體材料上打印三層圖案，一層用於半導體器件的打印，一層用於導體的打印，剩下的一層則用於打印絕緣介質，其中銀質墨水負責導體層的印刷。

提出一種基於半導體器件漂移擴散模型並結合交替方向隱式時域有限差分(AD I -FDTD)法的新型全域FDTD法。

即使載流子的方向和佈線延伸方向偏離晶軸的容易分割方向，也可以容易地把一個半導體器件分割為小片

半導體器件的設計和製造。

半導體器件，半導體晶片，芯片尺寸封裝及製作和檢測方法。

GB/T4589.1-*半導體器件分立器件和集成電路總規範(可供認*用)

半導體器件模擬，對於設計VLSI中的微小尺寸器件或者是新型的半導體分立器件，都已越來越顯得重要。

分立半導體器件和集成電路第分:光電設備測量方法

在一個實施例中，所述半導體器件包括具有多個NFET(110)和多個PFET(112)的靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元。

採用樣條分步法SADI與高階緊緻差分相結合的方法，計算用於半導體器件模擬的流體力學模型

不亂*、精度高、抗干擾能力強是便攜式醫療電子對半導體器件的首要要求。

GB/T6351-1998半導體器件分立器件第2部分:整流二極管第一篇100A以下環境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細規範

針對採用平面工藝的半導體器件的結構信息，通過單元排序和工藝流程生成兩個步驟，生成一個可以實現輸入目標要求的工藝流程。

GB/T12560-1990半導體器件分立器件分規範(可供認*用)

電力半導體器件及電子電容器件是電力電子技術的集中體現。

解釋了有關熔斷對整流器和功率半導體器件實現短路保護的原理。

電壓測量方法，電測試方法和裝置，半導體器件製造方法和器件襯*造方法。

高電子遷移率晶體管（HEMT）是基於異質結調製摻雜發展起來的一種高頻高速半導體器件。

討論了在檢測半導體器件和集成電路芯片時，不同研磨傾斜角度對擴展電阻量值的影響

很多工程師把納管看作硅的替代品，當今，晶體管、二極管和其他半導體器件通常都是製作在硅這種介質上。

圖三給出了功率半導體器件的概貌。

日本富士電機功率半導體器件、本日立電容器*代理。

本題提出的該模型及結論對基於半導體器件的高速光電轉換電路設計有重要的指導意義。

GB/T6219-1998半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規範

本文介紹了半導體器件中的優質多晶硅薄膜的生長以及在生長多晶硅薄膜的同時怎樣來*澱積温度；

破壞*物理分析是用於檢測半導體器件的

母排的分佈電感是影響高壓大容量變換器中半導體器件可靠運行的重要因素

本文提出一種能在毫米波很好工作的三端半導體器件—異質結勢壘控制飛的電子晶體管（簡稱勢壘飛越晶體管）。

前面幾章討論白勺許多半導體器件都可以在微波波段運行。

本文從電源的小型化出發，簡要介紹幾種半導體器件和電路的具體應用情況及其發展趨勢，其中包括功率晶體管、低耐壓MOSFET、CMOS開關穩壓器及單芯片電源。

日立尖端功率半導體器件使生活更高效舒適和便利

圖三給出了功率半導體器件的概貌

GB/T6352-1998半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇100A以下環境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規範

半導體器件。分立器件。第11部分：分立器件分規範。