用塞貝克造句子，“塞貝克”造句

綜述了微觀尺度下利用MEMS結構測量矽材料塞貝克係數的已有工作。

然而很多半導體材料(semiconductor material)在加熱時能夠通過塞貝克效應(Seebeckeffect)這種形式產生電勢能(electricpotential)，但是在碳中發生的塞貝克效應很微弱。

最後，計算出金屬表中任意兩種金屬構成熱電偶時塞貝克電動勢。

當溫度高於650-700K時，氧脫附顯著影響樣品的電輸運*質，導致電阻率和塞貝克係數隨溫度增加而增大。

一對是形成了銅路口和已知的塞貝克電動勢的參考。