用氧化物半導體造句子，“氧化物半導體”造句

6、奈米氧化鋅顆粒是重要的氧化物半導體材料，具有廣泛的應用範圍。

9、主要討論NTC多晶氧化物半導體中晶界對電導的影響。

12、氧化物半導體陶瓷材料是新型的中、高溫熱電材料。

15、本發明提供了一種互補金屬氧化物半導體（CMOS）裝置及其製造方法。

18、本發明提供氧化物半導體材料和其製造方法、電子裝置和場效應電晶體。

21、本發明屬於氧化物半導體薄膜材料領域，特別涉及氧化鋅與二氧化鈦複合薄膜材料及其製備方法。

24、作為到目前為止，有拖曳種類圖象感測器：充電夫婦裝置(CCD)和互補金屬氧化物半導體(CMOS)。

27、在贗能隙相位期間，銅氧化物半導體中電子發生了改變，那裡的電子隧穿能力在不同的氧原子中有所區別。

31、電晶體一電晶體邏輯電路元件應用nand柵門，發*極耦合邏輯電路元件應用NOR柵門，補充金屬氧化物半導體元件使用變極器。

34、本發明公開了一種具穩壓及靜電放電防護的金屬氧化物半導體元件及其製造方法，其應用於一晶片。

3、動態互補金屬氧化物半導體“與非”門

7、將金屬氧化物半導體的柵極構造蝕刻(510)。

11、高遷移率的P -溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體。

16、柔*襯底氧化物半導體透明導電薄膜的開發和應用將擴大TCO薄膜的應用領域。

20、文摘：描述了近十年來用作NO2氣體感測器的酞菁類和氧化物半導體敏感材料。

25、本發明的目的之一在於使用氧化物半導體層提供具備其電特*及可靠*優異的薄膜電晶體的半導體裝置。

29、採用溶膠凝膠金屬氧化物半導體薄膜，作為表面電漿體激元共振效應的光化學感測器的感測介質。

1、金屬—氧化物—半導體電晶體金屬氧化物半導體電晶體

5、研究了一種氧化物半導體型氧敏元件的氧敏特*。

13、電機教授:接吻是一種N型金屬氧化物半導體間的閉鎖現象。

19、本發明提供了一種其中鋁原子不可能擴散到氧化物半導體層的薄膜電晶體。

26、基於以上原因，本論文的工作將主要建立在使用化學氣相沉積法制備氮化物和氧化物半導體奈米材料的基礎上。

33、該肖特基二極體及其製造方法能夠滿足金屬氧化物半導體工藝的需求，並適用於亞微米積體電路的整合生產。

8、電子裝置具有包含氧化物半導體材料的半導體層，和設定在上述半導體層上的電極。

17、對鈣鈦礦結構氧化物半導體陶瓷中的電子導電機制，也作了進一步的闡明。

28、給出了多孔的金屬氧化物半導體氣敏晶體的既含晶粒間界感測作用又含晶粒縮頸感測作用的截面電導公式。

4、一種製造金屬氧化物半導體的方法(500)。

22、本發明可改善應變金屬氧化物半導體器件的製造中刻蝕溝槽時的微負載效應。

2、因此，對氧化物半導體層（905）引入比氧化物半導體層（906）更高濃度的*。

23、本發明提出一種積體電路及金屬氧化物半導體元件中判斷漏電流的方法。

14、或者，本發明的另一個目的在於提供一種使用該氧化物半導體的半導體裝置。

32、本發明能夠抑制氧化物半導體層中晶格缺陷的形成並抑制溼氣的進入，從而提高薄膜電晶體的可靠*。

10、提供了一種包括薄膜電晶體的半導體器件，該薄膜電晶體具有氧化物半導體層和優秀的電特*。