現有部分前四周期元素的*質或原子結構如下表:元素編號元素*質或原子結構A第三週期中的半導體材料BL層s電子數比...

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問題詳情:

現有部分前四周期元素的*質或原子結構如下表:

元素編號

元素*質或原子結構

A

第三週期中的半導體材料

B

L層s電子數比p電子數少1

C

第三週期主族元素中其第一電離能最大

D

前四周期呀中其未成對電子數最多

(1)B單質分子中,含有________個現有部分前四周期元素的*質或原子結構如下表:元素編號元素*質或原子結構A第三週期中的半導體材料BL層s電子數比...鍵和__________個現有部分前四周期元素的*質或原子結構如下表:元素編號元素*質或原子結構A第三週期中的半導體材料BL層s電子數比... 第2張鍵,元素B的氣態*化物的空間型為________________。

(2)C單質的熔點____________A單質的熔點(填“高於”或“低於”),其原因是:_______________

(3)寫出元素D基態原子的電子排布式:______________________。

【回答】

(1)1   (1分)  2 (1分)  ,三角錐形(1分)

(2)低於(1分) Cl2晶體屬於分子晶體,Si晶體屬於原子晶體,原子晶體中原子之間以很強的共價鍵結合,而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結合,因而原子晶體的熔點比分子晶體的熔點高(2分)

(3)1s22s22p63s23p64s13d5(2分)

知識點:物質結構 元素週期律

題型:填空題

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