用雜質濃度造句子，“雜質濃度”造句

硼是半導體材料中最主要的雜質，而精確控制雜質濃度剖面是半導體工藝的關鍵問題之一。

論述了雜質滲入到多孔薄膜後，薄膜中的雜質濃度分佈的理論解釋，給出了對實際工藝的指導*結論。

這個值是被用於校準的鋼瓶氣相應雜質濃度。

隨着再結晶次數的增加，晶體中的雜質濃度和缺陷濃度明顯降低，晶體的耐輻**能明顯提高。

二百零以低金屬雜質濃度的硅平面二極管的反向漏電流爲指標，研究了吸除的熱處理過程對微孔吸雜效果的影響。

與常溫情況相比，低溫下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更爲劇烈地上升。

向上凹的固液介面造成鑄錠中部的雜質濃度高於邊部的雜質濃度。

這爲改進激光誘導擴散工藝，用多次曝光實現面均勻的雜質濃度分佈奠定了理論基礎。

最後討論了析出的鉬化物對雜質濃度深度分佈的影響。

本文敘述了與*淨化技術有關的內容，包括*中雜質濃度、淨化理論、冷阱效率和冷阱再生等問題。