短週期主族元素X、Y、W、Z、R的原子序數依次增大．其中X、Z同主族，Z的單質是一種良好的半導體材料，W3+與...

問題詳情：

短週期主族元素X、Y、W、Z、R的原子序數依次增大．其中X、Z同主族，Z的單質是一種良好的半導體材料，W3+與Y2﹣具有相同的核外電子數，R是同週期中原子半徑最小的元素．下列敘述正確的是（　　）

A．Y、Z形成的化合物爲離子化合物

B．Y2﹣的離子半徑大於W3+的離子半徑

C．W的最高價氧化物對應的水化物的**比X的強

D．Z的氣態簡單*化物的穩定*比R的強

【回答】

【考點】原子結構與元素週期律的關係．

【專題】元素週期律與元素週期表專題．

【分析】短週期主族元素X、Y、W、Z、R的原子序數依次增大．其中X、Z同主族，Z的單質是一種良好的半導體材料，則Z爲Si、X爲C；W3+與Y2﹣具有相同的核外電子數，則W爲Al、Y爲O，R處於第三週期，且是同週期中原子半徑最小的元素，則R爲Cl，結合元素週期律解答．

【解答】解：短週期主族元素X、Y、W、Z、R的原子序數依次增大．其中X、Z同主族，Z的單質是一種良好的半導體材料，則Z爲Si、X爲C；W3+與Y2﹣具有相同的核外電子數，則W爲Al、Y爲O，R處於第三週期，且是同週期中原子半徑最小的元素，則R爲Cl．

A．Y、Z形成的化合物爲SiO2，屬於共價化合物，故A錯誤；

B．電子層結構相同，核電荷數越大離子半徑越小，故離子半徑：O2﹣＞Al3+，故B正確；

C．R（Cl）的非金屬*比W（Al）強，故高****比偏鋁*強，故C錯誤；

D．非金屬*R（Cl）＞Z（Si），故*化物穩定*HCl＞SiH4，故D錯誤，

故選：B．

【點評】本題考查結構*質位置關係應用，推斷元素是解題關鍵，側重對元素週期律的考查，難度中等．

知識點：物質結構 元素週期律單元測試

題型：選擇題