用外延層造句子，“外延層”造句

結果表明，低一常壓兩步外延對減小自摻雜和保*外延層質量非常有利。

市售GaAs外延層的質量相當高，故其材料和界面起伏引起的損耗可忽略不計。

外延層的干涉小峯間距反比於外延層的厚度。

用兩探針擴展電阻法測量了外延層的雜質分佈。

研究了温度、外延層受主濃度、注入離子激活率對夾斷電壓的影響。

關鍵詞一般為3~8個，按詞條的外延層次排列外延大的排在前面。

利用雙晶X*線衍*技術測試了外延層，確定外延層的組分與晶體質量，並利用二次離子質譜儀進行了縱向組分分佈剖析，利用擴展電阻儀確定外延層的電學特*。

GB/T14142-1993硅外延層晶體完整*檢查方法腐蝕法

利用D-T模型考慮了界面位借間的相互作用，計算了外延層與材底為不同失配、不同厚度時，應變的釋放。

GB/T14847-1993重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反*測量方法

摘要在雙極型器件的製造工藝中，外延層的質量一直是至關重要的因素之一。