用非晶半導體造句子，“非晶半導體”造句

在荷電的懸掛鍵模型下，計算了各種情況下的費密能級和電子濃度。並對兩類不同的非晶半導體作了詳細的討論。

本文首先簡要地回顧了非晶半導體的歷史和近年來含*非晶硅瞋的迅速進展。

通過計算電子由一種缺陷中心向另一種缺陷中心的跳躍概率，解釋了非晶半導體中的低温帶隙跳躍導電問題。