用衍*的造句子，“衍*的”造句

方法基於向量瑞利-索末菲衍*積分公式，研究向量橢圓高斯光束三孔衍*的光強分佈。

此參考點是用於在設計中儘量減少障板邊緣衍*的影響。

拉曼光譜與高分辨率透*電鏡以及電子衍*的結果表明該納米線是碳化硅的單晶納米線。

超導結的臨界電流與磁場的曲線非常類似於單*光在單狹縫衍*的夫琅和費圖樣。

本文研究了一種利用光柵衍*的多普勒效應進行位移測量的新方法。

摘要利用光敏三極管代替硅光電池和光敏二極管來測試單縫和雙縫衍*的光強分佈。

Rodney J.B. 教授 ：1971佛羅里達大學博士。研究方向是物理化學和量子化學,包括預測分子的勢能表面,通過X-*線衍*的方法測定半導體的結構,雜環和高分子的動力學。

運用物理光學相干與衍*的理論，分析與闡述了平面全息圖與體全息圖的成像及白光再現原理，並對全息防偽印刷應用作了簡要介紹。

研究單縫衍*的場分佈，有利於將對衍*的場分佈計算的結果應用於測量之中，提高測量精度。

利用費曼路徑積分理論，對夫琅和費圓孔衍*的光子衍*態進行定量分析，闡明圓孔衍*的量子本徵。

由熱磁、電阻率、差熱分析和X*線衍*的測量結果分析了樣品的晶化轉變。

本文揭示了單*光夫琅和費單縫衍*的光強分佈與矩形波頻譜分佈之間的相似*。

第一部分利用一級微擾近似得到了類似於光場菲涅耳直邊衍*的全新解析表示。

激光出現以後，人們獲得了高強度、高單**的相干光源，在許多實際問題中，將遇到繁雜的菲涅耳衍*的計算。

而且有種X光衍*的技術。

*的化學工業軟件，用來設計粉末衍*的晶體結構。

現行的光學教材在介紹單縫夫琅和費衍*時，均在特殊情況下導出單縫夫琅和費衍*的光強分佈。

本文探討了在光折變晶體中寫入體相位柵產生高階衍*的物理機制。

*澤是反*和衍*的綜合效果。

結果表明:分數傅里葉變換是適應於菲涅耳衍*的數學工具。

電子狀態用波函數描述，由電子動量的概率分佈，得到電子單縫衍*的強度分佈。

二百零利用向量瑞利衍*積分公式，推導出非傍軸向量高斯光束圓屏衍*的解析表示式。

二百零通過計算兩個簡單的積分值，可近似表示菲涅耳單縫衍*的相對光強。

最後計算分析了多矩孔菲涅爾衍*的光強分佈。

泊松並不相信這一結論，對它進行了仔細的審查，結果發現當把這個理論應用於圓盤衍*的時候，在*影中間將會出現一個亮斑。

文中還實驗研究與討論了光感應自衍*的形成條件及其與光感應光散*的競爭關係。

本文考慮了嵌鑲晶體中經各級衍*的x*線的偏極化狀態的變化，對次級消光效應作了較嚴密的處理。