用擴散長度造句子，“擴散長度”造句

結果表明，當注入水平較高時，少子擴散長度的測量值變長。

本文改進了常規表面光電壓測試少子擴散長度法，採用環形下電極消除了薄樣品背面光電壓信號對測量結果的影響；

當少子擴散長度與襯底厚度的比值為2.5-3時，具有鋁背場結構的單晶硅電池可獲得最佳的輸出特*。

方法：本文首先介紹脈衝中子源法測量介質的擴散長度的原理及推導過程，然後講解發生器的設計與原理。

本文提出了用N/P硅外延片的結光電壓光譜響應確定N/P硅外延片中少子擴散長度的方法。